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STGD6M65DF2

制造商: STMicroelectronics
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: STGD6M65DF2
描述: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 STMicroelectronics
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 M
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Digi-Reel®
输入类型 Standard
门负责 21.2nC
部分状态 Active
权力——马克思 88W
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
测试条件 400V, 6A, 22Ohm, 15V
基础零件号 STGD6
交换能量 36µJ (on), 200µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 15ns/90ns
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包 DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
反向恢复时间(trr) 140ns
电流-集电极(Ic) (Max) 12A
集电极脉冲电流(Icm) 24A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 650V

现货库存 2145 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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