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ALD111933PAL
| 制造商: | Advanced Linear Devices, Inc. |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | ALD111933PAL |
| 描述: | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Advanced Linear Devices, Inc. |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | EPAD® |
| 场效应晶体管类型 | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
| 包装 | Tube |
| 场效应晶体管的特性 | Standard |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 500mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.35V @ 1µA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 500Ohm @ 5.9V |
| 供应商设备包 | 8-PDIP |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 2.5pF @ 5V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | - |
现货库存 89 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.69 | $3.62 | $3.54 |
最低数量: 1
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