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ALD212900ASAL

制造商:	Advanced Linear Devices, Inc.
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	ALD212900ASAL
描述:	MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Advanced Linear Devices, Inc.
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	EPAD®, Zero Threshold™
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual) Matched Pair
包装	Tube
场效应晶体管的特性	Logic Level Gate
部分状态	Active
权力——马克思	500mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id	10mV @ 20µA
工作温度	0°C ~ 70°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	14Ohm
供应商设备包	8-SOIC
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	-
漏源极电压(Vdss)	10.6V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 5V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	80mA