图片仅供参考，请参阅产品说明书
2N5367
| 制造商: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | 2N5367 |
| 描述: | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Central Semiconductor Corp |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 625mW |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 频率-过渡 | 250MHz |
| 供应商设备包 | TO-92 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 300mA |
| 电流-集电极截止(最大) | 100nA (ICBO) |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 1V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 40V |
现货库存 96 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.35 | $0.34 | $0.34 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
