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BDW83B
| 制造商: | Central Semiconductor Corp |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 说明书: | BDW83B |
| 描述: | POWER TRANSISTOR NPN TO218 |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Central Semiconductor Corp |
| 产品类别 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| 系列 | - |
| 包装 | Bulk |
| 部分状态 | Obsolete |
| 权力——马克思 | 130W |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | TO-218-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 工作温度 | - |
| 频率-过渡 | - |
| 供应商设备包 | TO-218 |
| Vce饱和(最大)@ Ib, Ic | - |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 15A |
| 电流-集电极截止(最大) | - |
| 直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 6A, 3V |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 80V |