CYD18S18V18-200BBAXI
制造商: | Cypress Semiconductor Corp |
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产品类别: | Memory |
说明书: | CYD18S18V18-200BBAXI |
描述: | IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Cypress Semiconductor Corp |
产品类别 | Memory |
系列 | - |
包装 | Tray |
技术 | SRAM - Dual Port, Synchronous |
访问时间 | 3.3ns |
内存大小 | 18Mb (1M x 18) |
内存类型 | Volatile |
部分状态 | Obsolete |
内存格式 | SRAM |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 256-LBGA |
时钟频率 | 200MHz |
基础零件号 | CYD18S18 |
内存接口 | Parallel |
电压-供应 | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
供应商设备包 | 256-FBGA (17x17) |
写周期时间-字,页 | - |
现货库存 99 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1