图片仅供参考，请参阅产品说明书

DDTD114GC-7-F

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	DDTD114GC-7-F
描述:	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Tape & Reel (TR)
部分状态	Active
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
晶体管类型	NPN - Pre-Biased
基础零件号	DTD114
频率-过渡	200MHz
供应商设备包	SOT-23-3
电阻-发射极基(R2)	10 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max)	500mA
电流-集电极截止(最大)	500nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	56 @ 50mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V