图片仅供参考,请参阅产品说明书

DMJ70H1D3SI3

制造商: Diodes Incorporated
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: DMJ70H1D3SI3
描述: MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Diodes Incorporated
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1.3Ohm @ 2.5A, 10V
功耗(Max) 41W (Tc)
供应商设备包 TO-251
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 13.9nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 700V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 351pF @ 50V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.6A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 88 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

DMJ70H1D3SH3
Diodes Incorporated
$0
SPP20N60CFDHKSA1
Infineon Technologies
$0
SPP07N60C3HKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP50R299CPHKSA1
Infineon Technologies
$0
IPP039N04LGHKSA1
Infineon Technologies
$0