图片仅供参考，请参阅产品说明书

DMN1019USN-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMN1019USN-7
描述:	MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	10mOhm @ 9.7A, 4.5V
功耗(Max)	680mW (Ta)
供应商设备包	SC-59
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	50.6nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2426pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.2V, 2.5V