图片仅供参考,请参阅产品说明书

DMN1032UCB4-7

制造商: Diodes Incorporated
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: DMN1032UCB4-7
描述: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Diodes Incorporated
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) ±8V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 4-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 26mOhm @ 1A, 4.5V
功耗(Max) 900mW (Ta)
供应商设备包 U-WLB1010-4
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4.5nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss) 12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 450pF @ 6V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 4.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 1.8V, 4.5V

现货库存 8591 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IPN70R1K4P7SATMA1
Infineon Technologies
$0
RTR020P02TL
ROHM Semiconductor
$0
FDG327N
ON Semiconductor
$0
NTMFS4927NT1G
ON Semiconductor
$0
XR46000ESETR
MaxLinear, Inc.
$0