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DMN1032UCB4-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMN1032UCB4-7
描述:	MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	4-UFBGA, WLBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	26mOhm @ 1A, 4.5V
功耗(Max)	900mW (Ta)
供应商设备包	U-WLB1010-4
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4.5nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	12V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	450pF @ 6V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	4.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 4.5V