图片仅供参考,请参阅产品说明书

DMN10H120SFG-13

制造商: Diodes Incorporated
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: DMN10H120SFG-13
描述: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Diodes Incorporated
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±20V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
功耗(Max) 1W (Ta)
供应商设备包 PowerDI3333-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 10.6nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 549pF @ 50V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 3.8A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 6V, 10V

现货库存 69 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.24 $0.24 $0.23
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SISH625DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NTHS5441T1G
ON Semiconductor
$0.67
SI4058DY-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
SIRA16DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
NTLUS3A18PZTBG
ON Semiconductor
$0.23