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DMN2011UFDE-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMN2011UFDE-7
描述:	MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±12V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-UDFN Exposed Pad
基础零件号	DMN2011
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	9.5mOhm @ 7A, 4.5V
功耗(Max)	610mW (Ta)
供应商设备包	U-DFN2020-6 (Type E)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	56nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2248pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	11.7A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.5V, 4.5V