Image is for reference only , details as Specifications

DMN2013UFX-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	DMN2013UFX-7
描述:	MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装	Tape & Reel (TR)
场效应晶体管的特性	Standard
部分状态	Active
权力——马克思	2.14W
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-VFDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V
供应商设备包	W-DFN5020-6
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	57.4nC @ 8V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	2607pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	10A (Ta)