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DMN2600UFB-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMN2600UFB-7
描述:	MOSFET N-CH 25V 1.3A DFN1006-3
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	±8V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	3-UFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	350mOhm @ 200mA, 4.5V
功耗(Max)	540mW (Ta)
供应商设备包	3-DFN1006 (1.0x0.6)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	0.85nC @ 4.5V
漏源极电压(Vdss)	25V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	70.13pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1.3A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.8V, 4.5V