Image is for reference only , details as Specifications

DMN6069SFG-13

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMN6069SFG-13
描述:	MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±20V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	50mOhm @ 4.5A, 10V
功耗(Max)	930mW (Ta)
供应商设备包	PowerDI3333-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	25nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1480pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	5.6A (Ta), 18A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	4.5V, 10V