Image is for reference only , details as Specifications

DMN95H8D5HCT

制造商: Diodes Incorporated
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: DMN95H8D5HCT
描述: MOSFET N-CH 950V 2.5A TO220AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Diodes Incorporated
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tube
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 7Ohm @ 1A, 10V
功耗(Max) 125W (Tc)
供应商设备包 TO-220AB
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 7.9nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 950V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 64 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.19 $1.17 $1.14
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

SIDR392DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
$0
STL60N10F7
STMicroelectronics
$0
IAUA200N04S5N010AUMA1
Infineon Technologies
$2.8
SQM40041EL_GE3
Vishay / Siliconix
$2.53
NVMFS5C406NLT1G
ON Semiconductor
$0