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DMP2006UFGQ-13

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	DMP2006UFGQ-13
描述:	MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
场效应晶体管类型	P-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vg (Max)	±10V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	5.5mOhm @ 15A, 4.5V
功耗(Max)	2.3W (Ta), 41W (Tc)
供应商设备包	PowerDI3333-8
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	200nC @ 10V
漏源极电压(Vdss)	20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	7500pF @ 10V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	17.5A (Ta), 40A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	1.5V, 4.5V