DMT10H015LCG-7
制造商: | Diodes Incorporated |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | DMT10H015LCG-7 |
描述: | MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | Diodes Incorporated |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vg (Max) | ±20V |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 8-VDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
工作温度 | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 15mOhm @ 20A, 10V |
功耗(Max) | 1W (Ta) |
供应商设备包 | V-DFN3333-8 |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 33.3nC @ 10V |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1871pF @ 50V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 34A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 4.5V, 10V |
现货库存 52 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.38 | $0.37 | $0.36 |
最低数量: 1