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DRDNB26W-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
说明书:	DRDNB26W-7
描述:	TRANS PREBIAS NPN/DIODE SOT363
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Obsolete
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管类型	NPN - Pre-Biased + Diode
基础零件号	DRDNB26
电阻-基极(R1)	220 Ohms
频率-过渡	200MHz
供应商设备包	SOT-363
电阻-发射极基(R2)	4.7 kOhms
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
电流-集电极(Ic) (Max)	600mA
电流-集电极截止(最大)	500nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	47 @ 50mA, 5V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	50V