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DXT2011P5Q-13

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
说明书:	DXT2011P5Q-13
描述:	PWR LOW SAT TRANSISTOR PDI5
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	3.2W
安装方式	Surface Mount
包/箱	PowerDI™ 5
晶体管类型	NPN
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
频率-过渡	130MHz
供应商设备包	PowerDI™ 5
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	220mV @ 500mA, 5A
电流-集电极(Ic) (Max)	6A
电流-集电极截止(最大)	20nA (ICBO)
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 2A, 2V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	100V