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HBDM60V600W-7

制造商:	Diodes Incorporated
产品类别:	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
说明书:	HBDM60V600W-7
描述:	TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Diodes Incorporated
产品类别	Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
系列	-
包装	Digi-Reel®
部分状态	Active
权力——马克思	200mW
安装方式	Surface Mount
包/箱	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管类型	NPN, PNP
基础零件号	HBDM60V600
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
频率-过渡	100MHz
供应商设备包	SOT-363
Vce饱和(最大)@ Ib, Ic	400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
电流-集电极(Ic) (Max)	500mA, 600mA
电流-集电极截止(最大)	100nA
直流电流增益(hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
电压-集电极-发射极击穿(最大)	65V, 60V