Image is for reference only , details as Specifications
EPC2012
| 制造商: | EPC |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | EPC2012 |
| 描述: | GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | eGaN® |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Cut Tape (CT) |
| vg (Max) | +6V, -5V |
| 技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 100mOhm @ 3A, 5V |
| 功耗(Max) | - |
| 供应商设备包 | Die |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 145pF @ 100V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 5V |
