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EPC2012C

制造商:	EPC
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	EPC2012C
描述:	GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	EPC
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	eGaN®
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Digi-Reel®
vg (Max)	+6V, -4V
技术	GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
功耗(Max)	-
供应商设备包	Die Outline (4-Solder Bar)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	1.3nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	140pF @ 100V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	5A (Ta)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V