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EPC2014C

制造商: EPC
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: EPC2014C
描述: GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 EPC
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 eGaN®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) +6V, -4V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 5V
功耗(Max) -
供应商设备包 Die Outline (5-Solder Bar)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 2.5nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 5V

现货库存 48335 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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