EPC2031ENGRT
制造商: | EPC |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | EPC2031ENGRT |
描述: | GANFET NCH 60V 31A DIE |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | EPC |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | eGaN® |
场效应晶体管类型 | N-Channel |
包装 | Digi-Reel® |
vg (Max) | +6V, -4V |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Active |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | Die |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 15mA |
工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 30A, 5V |
功耗(Max) | - |
供应商设备包 | Die |
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 17nC @ 5V |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 300V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | 5V |