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EPC2100

制造商: EPC
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书: EPC2100
描述: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 EPC
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列 eGaN®
场效应晶体管类型 2 N-Channel (Half Bridge)
包装 Digi-Reel®
场效应晶体管的特性 GaNFET (Gallium Nitride)
部分状态 Active
权力——马克思 -
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
供应商设备包 Die
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
漏源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Ta), 40A (Ta)

现货库存 7387 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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