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EPC2101ENGRT

制造商:	EPC
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	EPC2101ENGRT
描述:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	EPC
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	eGaN®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Half Bridge)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	GaNFET (Gallium Nitride)
部分状态	Active
权力——马克思	-
安装方式	Surface Mount
包/箱	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 2mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 5V
供应商设备包	Die
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.7nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9.5A, 38A