图片仅供参考，请参阅产品说明书

EPC2105ENG

制造商:	EPC
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	EPC2105ENG
描述:	GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	EPC
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	eGaN®
场效应晶体管类型	2 N-Channel (Half Bridge)
包装	Bulk
场效应晶体管的特性	GaNFET (Gallium Nitride)
部分状态	Discontinued at Digi-Key
权力——马克思	-
安装方式	Surface Mount
包/箱	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 2.5mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	14.5mOhm @ 20A, 5V
供应商设备包	Die
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	2.5nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	9.5A, 38A