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EPC2107ENGRT
| 制造商: | EPC |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 说明书: | EPC2107ENGRT |
| 描述: | GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | EPC |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| 系列 | eGaN® |
| 场效应晶体管类型 | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 场效应晶体管的特性 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 部分状态 | Discontinued at Digi-Key |
| 权力——马克思 | - |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 9-VFBGA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V |
| 供应商设备包 | 9-BGA (1.35x1.35) |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 1.7A, 500mA |
现货库存 64 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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