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EPC2108

制造商:	EPC
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
说明书:	EPC2108
描述:	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	EPC
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
系列	eGaN®
场效应晶体管类型	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
包装	Digi-Reel®
场效应晶体管的特性	GaNFET (Gallium Nitride)
部分状态	Discontinued at Digi-Key
权力——马克思	-
安装方式	Surface Mount
包/箱	9-VFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
供应商设备包	9-BGA (1.35x1.35)
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	60V, 100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	1.7A, 500mA