图片仅供参考,请参阅产品说明书

EPC2206

制造商: EPC
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: EPC2206
描述: GANFET N-CH 80V 90A DIE
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 EPC
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 eGaN®
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Digi-Reel®
vg (Max) +6V, -4V
技术 GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 Die
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 13mA
工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 2.2mOhm @ 29A, 5V
功耗(Max) -
供应商设备包 Die
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 19nC @ 5V
漏源极电压(Vdss) 80V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1940pF @ 40V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 90A (Ta)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 5V

现货库存 6444 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

STF5NK100Z
STMicroelectronics
$3.65
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
$0
IRLB3036PBF
Infineon Technologies
$3.57
AOTF27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$3.53
STF13NM60N
STMicroelectronics
$3.51