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GS8160E36DGT-200V
| 制造商: | GSI Technology |
|---|---|
| 产品类别: | Accessories |
| 说明书: | GS8160E36DGT-200V |
| 描述: | SRAM 1.8/2.5V 512K x 36 18M |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| RoHS | Details |
| 类型 | DCD Synchronous Burst |
| 品牌 | GSI Technology |
| 系列 | GS8160E36DGT |
| 包装 | Tray |
| 商品名称 | SyncBurst |
| 访问时间 | 6.5 ns |
| 内存大小 | 18 Mbit |
| 内存类型 | SDR |
| 子类别 | Memory & Data Storage |
| 制造商 | GSI Technology |
| 组织 | 512 k x 36 |
| 产品类型 | SRAM |
| 接口类型 | Parallel |
| 越来越多的风格 | SMD/SMT |
| 包/箱 | TQFP-100 |
| 产品类别 | SRAM |
| 水分敏感 | Yes |
| 最大供电电流 | 205 mA, 210 mA |
| 电源电压-最大 | 2.7 V |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 工厂包装数量 | 18 |
| 最大的时钟频率 | 200 MHz |
| 最高工作温度 | + 70 C |
| 最低工作温度 | 0 C |
现货库存 53 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $23.38 | $22.91 | $22.45 |
最低数量: 1
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