Image is for reference only , details as Specifications

GA03JT12-247

制造商: GeneSiC Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: GA03JT12-247
描述: TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 -
包装 Tube
vg (Max) -
技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
工作温度 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 460mOhm @ 3A
功耗(Max) 15W (Tc)
供应商设备包 TO-247AB
漏源极电压(Vdss) 1200V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 3A (Tc) (95°C)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) -

现货库存 76 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

AUIRFU3607
Infineon Technologies
$0
IRFU3607TRL701P
Infineon Technologies
$0
IRFP4332-203PBF
Infineon Technologies
$0
IRFHP8321TRPBF
Infineon Technologies
$0
IRFHP8334TRPBF
Infineon Technologies
$0