GA10JT12-247
制造商: | GeneSiC Semiconductor |
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产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
说明书: | GA10JT12-247 |
描述: | TRANS SJT 1.2KV 10A |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | GeneSiC Semiconductor |
产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
系列 | - |
场效应晶体管类型 | - |
包装 | Tube |
vg (Max) | - |
技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
场效应晶体管的特性 | - |
部分状态 | Obsolete |
安装方式 | Through Hole |
包/箱 | TO-247-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
工作温度 | 175°C (TJ) |
Rds(最大)@ Id, Vgs | 140mOhm @ 10A |
功耗(Max) | 170W (Tc) |
供应商设备包 | TO-247AB |
漏源极电压(Vdss) | 1200V |
电流-持续排水(Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) | - |
现货库存 96 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1