图片仅供参考，请参阅产品说明书
GA10JT12-263
| 制造商: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | GA10JT12-263 |
| 描述: | TRANS SJT 1200V 25A |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | GeneSiC Semiconductor |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | - |
| 场效应晶体管类型 | - |
| 包装 | Tube |
| vg (Max) | - |
| 技术 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| 工作温度 | 175°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 120mOhm @ 10A |
| 功耗(Max) | 170W (Tc) |
| 供应商设备包 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 1403pF @ 800V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | - |
现货库存 721 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $19.24 | $18.86 | $18.48 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要
