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GA10JT12-263

制造商:	GeneSiC Semiconductor
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	GA10JT12-263
描述:	TRANS SJT 1200V 25A
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	GeneSiC Semiconductor
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	-
包装	Tube
vg (Max)	-
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Surface Mount
包/箱	-
Vgs(th) (Max) @ Id	-
工作温度	175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
功耗(Max)	170W (Tc)
供应商设备包	-
漏源极电压(Vdss)	1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1403pF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	-