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GA10SICP12-263

制造商: GeneSiC Semiconductor
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: GA10SICP12-263
描述: TRANS SJT 1200V 25A TO263-7
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 GeneSiC Semiconductor
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 -
包装 Tube
vg (Max) -
技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Active
安装方式 Surface Mount
包/箱 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id -
工作温度 175°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 100mOhm @ 10A
功耗(Max) 170W (Tc)
供应商设备包 D2PAK (7-Lead)
漏源极电压(Vdss) 1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 1403pF @ 800V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 25A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) -

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参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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