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GP1M010A080N

制造商: Global Power Technologies Group
产品类别: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书: GP1M010A080N
描述: MOSFET N-CH 900V 10A TO3PN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Global Power Technologies Group
产品类别 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列 -
场效应晶体管类型 N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vg (Max) ±30V
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性 -
部分状态 Obsolete
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs 1.05Ohm @ 5A, 10V
功耗(Max) 312W (Tc)
供应商设备包 TO-3PN
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs 53nC @ 10V
漏源极电压(Vdss) 900V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 2336pF @ 25V
电流-持续排水(Id) @ 25°C 10A (Tc)
驱动电压(最大Rds开,最小Rds开) 10V

现货库存 55 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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