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GPA020A120MN-FD

制造商:	Global Power Technologies Group
产品类别:	Transistors - IGBTs - Single
说明书:	GPA020A120MN-FD
描述:	IGBT 1200V 40A 223W TO3PN
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Global Power Technologies Group
产品类别	Transistors - IGBTs - Single
系列	-
IGBT类型	Trench Field Stop
包装	Tube
输入类型	Standard
门负责	210nC
部分状态	Active
权力——马克思	223W
安装方式	Through Hole
包/箱	TO-3
测试条件	600V, 20A, 10Ohm, 15V
交换能量	2.8mJ (on), 480µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C	30ns/150ns
工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包	TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.5V @ 15V, 20A
反向恢复时间(trr)	425ns
电流-集电极(Ic) (Max)	40A
集电极脉冲电流(Icm)	60A
电压-集电极-发射极击穿(最大)	1200V