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GPA030A135MN-FDR

制造商: Global Power Technologies Group
产品类别: Transistors - IGBTs - Single
说明书: GPA030A135MN-FDR
描述: IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 Global Power Technologies Group
产品类别 Transistors - IGBTs - Single
系列 -
IGBT类型 Trench Field Stop
包装 Tube
输入类型 Standard
门负责 300nC
部分状态 Active
权力——马克思 329W
安装方式 Through Hole
包/箱 TO-3
测试条件 600V, 30A, 5Ohm, 15V
交换能量 4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
Td(开/关)@ 25°C 30ns/145ns
工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包 TO-3PN
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
反向恢复时间(trr) 450ns
电流-集电极(Ic) (Max) 60A
集电极脉冲电流(Icm) 90A
电压-集电极-发射极击穿(最大) 1350V

现货库存 98 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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