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GSID080A120B1A5

制造商:	Global Power Technologies Group
产品类别:	Transistors - IGBTs - Modules
说明书:	GSID080A120B1A5
描述:	SILICON IGBT MODULES
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Global Power Technologies Group
产品类别	Transistors - IGBTs - Modules
输入	Standard
系列	Amp+™
IGBT类型	-
部分状态	Active
权力——马克思	1710W
配置	Single
安装方式	Chassis Mount
NTC热敏电阻	Yes
包/箱	Module
工作温度	-40°C ~ 150°C
供应商设备包	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 80A
电流-集电极(Ic) (Max)	160A
输入电容(Cies) @ Vce	7nF @ 25V
电流-集电极截止(最大)	1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大)	1200V