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GSID200A170S3B1

制造商:	Global Power Technologies Group
产品类别:	Transistors - IGBTs - Modules
说明书:	GSID200A170S3B1
描述:	SILICON IGBT MODULES
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Global Power Technologies Group
产品类别	Transistors - IGBTs - Modules
输入	Standard
系列	Amp+™
IGBT类型	-
部分状态	Active
权力——马克思	1630W
配置	2 Independent
安装方式	Chassis Mount
NTC热敏电阻	No
包/箱	D-3 Module
工作温度	-40°C ~ 150°C
供应商设备包	D3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 200A
电流-集电极(Ic) (Max)	400A
输入电容(Cies) @ Vce	26nF @ 25V
电流-集电极截止(最大)	1mA
电压-集电极-发射极击穿(最大)	1200V