Image is for reference only , details as Specifications
GSID600A120S4B1
| 制造商: | Global Power Technologies Group |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - IGBTs - Modules |
| 说明书: | GSID600A120S4B1 |
| 描述: | SILICON IGBT MODULES |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Global Power Technologies Group |
| 产品类别 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 输入 | Standard |
| 系列 | Amp+™ |
| IGBT类型 | - |
| 部分状态 | Active |
| 权力——马克思 | 3060W |
| 配置 | Half Bridge |
| 安装方式 | Chassis Mount |
| NTC热敏电阻 | Yes |
| 包/箱 | Module |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 供应商设备包 | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 600A |
| 电流-集电极(Ic) (Max) | 1130A |
| 输入电容(Cies) @ Vce | 51nF @ 25V |
| 电流-集电极截止(最大) | 1mA |
| 电压-集电极-发射极击穿(最大) | 1200V |
现货库存 61 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $167.23 | $163.89 | $160.61 |
最低数量: 1
报价请求
请填写以下表格，我们将尽快与您联系
猜你想要