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HTNFET-D
| 制造商: | Honeywell Aerospace |
|---|---|
| 产品类别: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 说明书: | HTNFET-D |
| 描述: | MOSFET N-CH 55V 8-DIP |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Honeywell Aerospace |
| 产品类别 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| 系列 | HTMOS™ |
| 场效应晶体管类型 | N-Channel |
| 包装 | Bulk |
| vg (Max) | 10V |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 场效应晶体管的特性 | - |
| 部分状态 | Active |
| 安装方式 | Through Hole |
| 包/箱 | 8-CDIP Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| 工作温度 | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Rds(最大)@ Id, Vgs | 400mOhm @ 100mA, 5V |
| 功耗(Max) | 50W (Tj) |
| 供应商设备包 | 8-CDIP-EP |
| 门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| 电流-持续排水(Id) @ 25°C | - |
| 驱动电压(最大Rds开，最小Rds开) | 5V |
现货库存 98 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $391.50 | $383.67 | $376.00 |
最低数量: 1
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