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HTNFET-D

制造商:	Honeywell Aerospace
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	HTNFET-D
描述:	MOSFET N-CH 55V 8-DIP
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	Honeywell Aerospace
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	HTMOS™
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Bulk
vg (Max)	10V
技术	MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Through Hole
包/箱	8-CDIP Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 100µA
工作温度	-55°C ~ 225°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	400mOhm @ 100mA, 5V
功耗(Max)	50W (Tj)
供应商设备包	8-CDIP-EP
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	4.3nC @ 5V
漏源极电压(Vdss)	55V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 28V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	-
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	5V