图片仅供参考,请参阅产品说明书

IS42RM32400H-6BLI

制造商: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别: Memory
说明书: IS42RM32400H-6BLI
描述: IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 SDRAM - Mobile
访问时间 5.5ns
内存大小 128Mb (4M x 32)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 90-TFBGA
时钟频率 166MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 2.3V ~ 2.7V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 90-TFBGA (8x13)
写周期时间-字,页 -

现货库存 98 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.34 $5.23 $5.13
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

CY7C1041GN-10VXI
Cypress Semiconductor Corp
$5.32
IS43R16160D-5BL
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$5.32
S501LEF0S0PNFV000
Cypress Semiconductor Corp
$5.32
IS42SM32400H-6BLI
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$5.32
71V424S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
$5.32