IS43DR86400E-3DBL
制造商: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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产品类别: | Memory |
说明书: | IS43DR86400E-3DBL |
描述: | IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
产品类别 | Memory |
系列 | - |
包装 | Tray |
技术 | SDRAM - DDR2 |
访问时间 | 450ns |
内存大小 | 512Mb (64M x 8) |
内存类型 | Volatile |
部分状态 | Active |
内存格式 | DRAM |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 60-TFBGA |
时钟频率 | 333MHz |
内存接口 | Parallel |
电压-供应 | 1.7V ~ 1.9V |
工作温度 | 0°C ~ 85°C (TC) |
供应商设备包 | 60-TWBGA (8x10.5) |
写周期时间-字,页 | 15ns |
现货库存 32 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$3.31 | $3.24 | $3.18 |
最低数量: 1