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IS43DR86400E-3DBLI-TR

制造商: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别: Memory
说明书: IS43DR86400E-3DBLI-TR
描述: IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 SDRAM - DDR2
访问时间 450ns
内存大小 512Mb (64M x 8)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 DRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 60-TFBGA
时钟频率 333MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 1.7V ~ 1.9V
工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
供应商设备包 60-TWBGA (8x10.5)
写周期时间-字,页 15ns

现货库存 87 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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