图片仅供参考,请参阅产品说明书

IS61DDB21M36C-300M3L

制造商: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别: Memory
说明书: IS61DDB21M36C-300M3L
描述: IC SRAM 36M PARALLEL 165LFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tray
技术 SRAM - Synchronous, DDR II
访问时间 8.4ns
内存大小 36Mb (1M x 36)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 SRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 165-LBGA
时钟频率 300MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 1.71V ~ 1.89V
工作温度 0°C ~ 70°C (TA)
供应商设备包 165-LFBGA (13x15)
写周期时间-字,页 -

现货库存 99 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最低数量: 1

报价请求

请填写以下表格,我们将尽快与您联系

猜你想要

IS61DDB21M36C-300M3
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
$0
S25FL116K0XMFA043
Cypress Semiconductor Corp
$0
MSM5117400F-60TDR1L
ROHM Semiconductor
$0
MSM5117400F-60T3DR1
ROHM Semiconductor
$0
S34ML08G201BHA000
Cypress Semiconductor Corp
$0