IS61NVP51236-200B3-TR
制造商: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
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产品类别: | Memory |
说明书: | IS61NVP51236-200B3-TR |
描述: | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
RoHS状态: | 通过无铅认证 |
属性 | 属性值 |
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制造商 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
产品类别 | Memory |
系列 | - |
包装 | Tape & Reel (TR) |
技术 | SRAM - Synchronous, SDR |
访问时间 | 3.1ns |
内存大小 | 18Mb (512K x 36) |
内存类型 | Volatile |
部分状态 | Active |
内存格式 | SRAM |
安装方式 | Surface Mount |
包/箱 | 165-TBGA |
时钟频率 | 200MHz |
内存接口 | Parallel |
电压-供应 | 2.375V ~ 2.625V |
工作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
供应商设备包 | 165-TFBGA (13x15) |
写周期时间-字,页 | - |
现货库存 78 pcs
参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最低数量: 1