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IS61NVP51236-200B3-TR

制造商: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别: Memory
说明书: IS61NVP51236-200B3-TR
描述: IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA
RoHS状态: 通过无铅认证
属性 属性值
制造商 ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
产品类别 Memory
系列 -
包装 Tape & Reel (TR)
技术 SRAM - Synchronous, SDR
访问时间 3.1ns
内存大小 18Mb (512K x 36)
内存类型 Volatile
部分状态 Active
内存格式 SRAM
安装方式 Surface Mount
包/箱 165-TBGA
时钟频率 200MHz
内存接口 Parallel
电压-供应 2.375V ~ 2.625V
工作温度 0°C ~ 70°C (TA)
供应商设备包 165-TFBGA (13x15)
写周期时间-字,页 -

现货库存 78 pcs

参考价 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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最低数量: 1

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