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IS61NVP51236-200B3LI
| 制造商: | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
|---|---|
| 产品类别: | Memory |
| 说明书: | IS61NVP51236-200B3LI |
| 描述: | IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
| RoHS状态: | 通过无铅认证 |
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| 产品类别 | Memory |
| 系列 | - |
| 包装 | Tray |
| 技术 | SRAM - Synchronous, SDR |
| 访问时间 | 3.1ns |
| 内存大小 | 18Mb (512K x 36) |
| 内存类型 | Volatile |
| 部分状态 | Obsolete |
| 内存格式 | SRAM |
| 安装方式 | Surface Mount |
| 包/箱 | 165-TBGA |
| 时钟频率 | 200MHz |
| 内存接口 | Parallel |
| 电压-供应 | 2.375V ~ 2.625V |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 供应商设备包 | 165-TFBGA (13x15) |
| 写周期时间-字，页 | - |
现货库存 71 pcs
| 参考价 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最低数量: 1
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