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IXFN50N120SIC

制造商:	IXYS
产品类别:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
说明书:	IXFN50N120SIC
描述:	MOSFET N-CH
RoHS状态:	通过无铅认证

属性	属性值
制造商	IXYS
产品类别	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
系列	-
场效应晶体管类型	N-Channel
包装	Tube
vg (Max)	+20V, -5V
技术	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应晶体管的特性	-
部分状态	Active
安装方式	Chassis Mount
包/箱	SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 2mA
工作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds(最大)@ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
功耗(Max)	-
供应商设备包	SOT-227B
门电荷(Qg)(最大值)@ Vgs	100nC @ 20V
漏源极电压(Vdss)	1200V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds	1900pF @ 1000V
电流-持续排水(Id) @ 25°C	47A (Tc)
驱动电压(最大Rds开，最小Rds开)	20V